USMgo+便攜式超聲波探傷(shang) 儀(yi) 簡介：
USMgo+便攜式超聲波探傷(shang) 儀(yi) |米兰电竞俱乐部現貨供應美國GE/USMgo+便攜式超聲波探傷(shang) 儀(yi) USM Go AWS版包括：USM Go+ 基本版 加AWS 軟件USM Go DAC AWS版包括：USM Go AWS版加DAC / TCG軟件
USM Go高級版包括：USM Go DAC AWS版加DGS 軟件、Phantom PRF 選項、方波脈衝(chong) 選項
特色
最輕攜，僅(jin) 850克。適合艱苦環境下的長時間簡單操作。
高效的操作方式：成熟的圖形用戶界麵和創新的按鈕布局實現了單手操作和快速調整。其他高效功能包括：自動校準、Auto 80、同步閘門功能等。
屏幕翻轉功能實現左右手互換操作。
自帶集成支架，亦可安裝在普通三腳架上。
堅固的模壓橡膠外殼可以承受的環境，並顯著減少停機時間：IP67浸入測試（P67/IEC529 - 防塵/防淋水，符合 IEC529關(guan) 於(yu) IP67分類的規定)；墜落測試(514.5 程序 II; 516.5 程序 IV)；振動測試(Mil-Std-810F; 514.5-5 程序 I, 附件 C)。
掃描凍結模式功能（用於(yu) 閘門A和閘門B）便於(yu) 在苛刻的條件下工作。
所有參數的簡易列表可以打印出來，報告以JPEG或BMP格式生成。
支持16GBSD卡,有SD卡上的簡易目錄管理功能。
標準的USB連接允許從(cong) 探傷(shang) 儀(yi) 上下載數據，作進一步分析或存儲(chu) 。
嵌入式的菜單定製工具可以適應2個(ge) 用戶的菜單結構。
每年校準提醒，有效地進行質量管理。
智能注釋功能，提高報告的有效性。
可選底麵回波衰減器(BEA功能)有助於(yu) 發現非常小的缺陷，提高檢測能力。
兩(liang) 個(ge) 閘門的自動閥值功能在同等條件下確保測量 結果的準確性。
錄像長達8分鍾，可以現場（動態）報告。
顯示測量指標——振幅和距離，以減少出錯率。
回波渡越時間精確到微秒。
兼容trueDGS斜射波束傳(chuan) 感器，極大提高EN583-2的定量能力。
可選幻象波去除（Phantom echo）指示器：由於(yu) 脈衝(chong) 往複回波衰減低和脈衝(chong) 重複頻率過高，回波會(hui) 在屏 幕上閃爍。
應用
焊縫檢驗
• 三角函數預測：計算表麵到反射體(ti) 的深度、幅值（amp）和聲程；曲率校正（校正徑向檢測時的投影位置）；彩色路徑（在設置好壁厚後，係統會(hui) 自動根據探頭 角度和工件厚度分出一次波區域，二次波區域，三次波區域等，不同區域有不同的背景顏色）。
• AWS：依據AWSD1.1結構焊接標準代碼自動評級。
• DAC：可以依據EN ISO 17640、11666和23279調整三條曲線的dB值。
• DGS：可以依據EN 1712調整大小。
• trueDGS®：依據EN 583-2，顯著提高尺寸調整能力。
複合材料
• 射頻顯示
• A門電路回波觸發的2門電路與(yu) B-啟動
• 用於(yu) 120dB/µs高衰減材料的TCG校準
鋼軌
• 高PRF（高達2000赫茲(zi) ）
鍛件
• 手動PRF調整
• 幻象波（Phantom echo）去除
• DGS
• 底麵回波衰減器
UMSgo+係列超聲波探傷(shang) 儀(yi) 選型
USM Go+ 基本版包括：主機 、電池、外置電源、電源線、運輸箱、簡要操作說明卡、操作手冊(ce) （CD）、鑒定證書(shu) 、手帶
USM Go AWS版包括：USM Go+ 基本版 加AWS 軟件
USM Go DAC AWS版包括：USM Go AWS版加DAC / TCG軟件
USM Go高級版包括：USM Go DAC AWS版加DGS 軟件、Phantom PRF 選項、方波脈衝(chong) 選項
USM 87包括：USM Go DAC AWS版加定製支柱絕緣子探傷(shang) 工作界麵，不可升級。
低版本UMSgo+升級選項：
DAC
DGS
厚度數據記錄器
方波脈衝(chong)
幻像波檢測功能
AWS
BEA
USMgo+附件：
鋰電池
配有電源線的充電器
用於(yu) 外置電池充電的適配器（非標配）
運輸箱
背帶（非標配）
佩戴在腰上的皮套（非標配）
手帶
據根據EN12668標準進行的鑒定報告（非標配）
USMgo+技術參數 | |
常規 | |
存儲(chu) 溫度 | -20℃至60℃ |
使用溫度 | -5℃至55℃ |
儀(yi) 器尺寸 | 175mm×111mm×50mm |
儀(yi) 器重量 | 845克，含電池 |
屏幕尺寸 | 108mmx64.8mm,5" |
分辨率 | 800x480 |
USB接口 | MiniUSB |
SD卡槽 | 標準SD卡插槽，支持16G |
電池 | 連續使用5.5小時 |
充電器 | 交流（100-240伏,，50-60赫茲(zi) ） |
探頭接口 | 2個(ge) LEMO-00 |
UT輸出 | SAP輸出，報警 |
語言 | 俄語、葡萄牙語、意大利語、波蘭(lan) 語、捷克語、英語、德語、法語、西班牙語、中文和日文 |
防護等級 | 符合IEC 529關(guan) 於(yu) IP67分類的規定 |
振動 | 514.5-5過程I，附錄C，圖6，常規暴露：每軸1小時 |
衝(chong) 擊 | 每軸6圈，15克，11毫秒半正弦波，516.5程序I |
合規性 | EMC/EMI：EN 55011 EN61000-6-2:2001；超聲波：EN12668/ASTM E1324/E317/ANSI/NCSL Z 540-1-1994/MIl STD 45662A/MIL STD 2154 |
脈衝(chong) 發生器 | |
脈衝(chong) 模式 | 模擬尖峰標準，可選單相位可調方波 |
脈衝(chong) 電壓 | 120伏到300伏，以10伏為(wei) 步進，誤差允許在10％內(nei) |
脈衝(chong) 寬度 | 30ns到500ns，以20ns為(wei) 步進，誤差允許在10％內(nei) |
脈衝(chong) 振幅 | 低：120伏，高：300伏 |
阻尼 | 50或1000歐姆 |
PRF | 在15赫茲(zi) 到2000赫茲(zi) 之間自動優(you) 化，3種自動調整模式：AutoLow、Auto Med、AutoHigh-可選PRF的“幻象波去除"手動控製，從(cong) 15到2000赫茲(zi) |
接收器 | |
範圍 | 縱波穿透14016mm鋼板（557英寸） |
數字增益 | 動態範圍為(wei) 110 dB，其中步進為(wei) 0.2 dB |
模擬帶寬 | 0.2兆赫- 20兆赫 |
檢波 | 帶寬1-5兆赫/2、2.5兆赫/4、5兆赫/10兆赫 |
閘門 | |
獨立閘門 | 2個(ge) 閘門（A和B），閘門B支持通過閘門A觸發 |
濾波器 | 正半波（POS）/全波（FW）/負半波（NEG）/RF（檢波） |
測量值 | 波峰/波側(ce) /Jflank |
係列 | 型號 | 頻率 (MHz) | 焦距 (mm) | 單晶片尺寸 (mm) | 外觀尺寸 | 帶寬 | 接口類型 | 接口方向 |
SEB | SEB 1 | 1 | 20 | Φ21半圓 | 類型15 | 40 | 雙聯 Lemo 00 | 側(ce) 裝 |
SEB 1-EN | 1 | 20 | ||||||
SEB 2 | 2 | 15 | 7x18 | |||||
SEB 2-EN | 2 | 15 | ||||||
SEB 2-0° | 2 | 30 | ||||||
SEB 2-EN-0° | 2 | 30 | ||||||
SEB 4 | 4 | 12 | 6x20 | |||||
SEB 4-EN | 4 | 12 | ||||||
SEB 4-0° | 4 | 25 | ||||||
SEB 4-EN-0° | 4 | 25 | ||||||
MSEB | MSEB 2 | 2 | 8 | Φ11半圓 | 類型16 | 40 | ||
MSEB 2-EN | 2 | 8 | ||||||
MSEB 4 | 4 | 10 | 3.5x10 | |||||
MSEB 4-EN | 4 | 10 | ||||||
MSEB 4-EN-0° | 4 | 18 | ||||||
MSEB 4-0° | 4 | 18 | ||||||
MSEB 5 | 5 | 10 | Φ9半圓 | |||||
SEB KF | SEB 2 KF 5 | 2 | 6 | Φ8半圓 | 類型17 | 30-60 | Microdot X2 | |
SEB 4 KF 8 | 4 | 6 | ||||||
SEB 4 KF 8-EN | 4 | 6 | ||||||
SEB 5 KF 3 | 5 | 3 | ||||||
SEB 10 KF 3 | 10 | 3 | Φ5半圓 | 類型18 | ||||
SEB 10 KF 3-EN |
米兰电竞俱乐部是一家專(zhuan) 業(ye) 從(cong) 事無損檢測設備代理的公司，主營超聲波檢測設備及探頭、超聲波相控陣、超聲TOFD探傷(shang) 儀(yi) 、超聲波相控陣探頭以及數字成像平板等*設備，品牌有奧林巴斯NDT、美國磁通、美國sherwen、汕超、新美達、美國GE等多家產(chan) 品。長期以來，公司堅持走科技創新之路，不斷拓展產(chan) 品線及產(chan) 品技術，加大應用技術人員投入。
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